Pendahuluan
Transistor adalah salah satu komponen elektronik yang sangat penting dalam dunia teknologi. Ada berbagai jenis transistor yang digunakan dalam rangkaian elektronik, di antaranya adalah Transistor Bipolar Junction (BJT) dan Field Effect Transistor (FET). Meskipun keduanya memiliki fungsi yang serupa, namun terdapat perbedaan mendasar antara keduanya. Artikel ini akan membahas perbedaan antara Transistor BJT dan FET.
Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor)
Transistor BJT adalah jenis transistor yang menggunakan dua junction semi-konduktor yang saling terhubung, yaitu junction basis-emitir dan junction basis-kolektor. Transistor BJT terdiri dari tiga lapisan semikonduktor, yaitu basis (base), emitter, dan kolektor. Transistor BJT dapat berfungsi sebagai penguat sinyal dan juga sebagai saklar (switch).
Transistor BJT memiliki beberapa tipe, di antaranya adalah tipe NPN (Negative-Positive-Negative) dan tipe PNP (Positive-Negative-Positive). Tipe NPN memiliki elektron mayoritas yang bergerak dari basis ke emitter, sedangkan tipe PNP memiliki lubang mayoritas yang bergerak dari emitter ke basis. Transistor BJT dapat mengalirkan arus listrik baik dari emitor ke kolektor (arus forward) maupun sebaliknya (arus reverse).
Field Effect Transistor (FET)
Field Effect Transistor (FET) adalah jenis transistor yang menggunakan medan listrik untuk mengendalikan konduktivitas dalam kanal semikonduktor. FET terdiri dari tiga terminal, yaitu gate, source, dan drain. Terdapat dua jenis FET yang umum digunakan, yaitu Junction FET (JFET) dan Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET).
JFET menggunakan junction antara lapisan P dan N sebagai kanal, sedangkan MOSFET menggunakan lapisan isolator tipis (oksida logam-semikonduktor) sebagai kanal. FET memiliki impedansi input yang tinggi, sehingga lebih cocok sebagai penguat sinyal daripada saklar. FET juga memiliki kebocoran arus yang rendah dan daya listrik yang kecil.
Perbedaan Antara Transistor BJT dan FET
Ada beberapa perbedaan mendasar antara Transistor BJT dan FET, yaitu:
1. Struktur
Transistor BJT terdiri dari tiga lapisan semikonduktor, yaitu basis, emitter, dan kolektor, sedangkan FET hanya terdiri dari satu kanal semikonduktor.
2. Pengendalian
Transistor BJT dikendalikan oleh arus basis, sedangkan FET dikendalikan oleh medan listrik yang diaplikasikan pada terminal gate.
3. Impedansi Input
FET memiliki impedansi input yang tinggi, sedangkan BJT memiliki impedansi input yang rendah.
4. Kebocoran Arus
FET memiliki kebocoran arus yang rendah, sedangkan BJT memiliki kebocoran arus yang cukup signifikan.
5. Daya Listrik
FET memiliki daya listrik (power dissipation) yang lebih rendah daripada BJT.
Kesimpulan
Dalam dunia elektronika, Transistor BJT dan FET memiliki perbedaan mendasar dalam struktur, pengendalian, impedansi input, kebocoran arus, dan daya listrik. Transistor BJT lebih cocok digunakan sebagai saklar (switch), sementara FET lebih cocok sebagai penguat sinyal. Pemilihan jenis transistor yang tepat sangat bergantung pada kebutuhan dan karakteristik rangkaian elektronik yang akan dibangun.
